تقنية السيليكون الحديثة TSV التي أعلنت سامسونج عن استخدامها في تطوير أول شرائح الذاكرة المتراكبة أو المجمعة يتوقع أن يتم من خلالها في المدى القريب إنتاج شرائح ذاكرة عالية التقنية تتميز بإمكانية التجميع والسرعة والاستهلاك الأقل للطاقة. تتكون الشرائح الحديثة من أربع مجموعات ذاكرة بسعة 512 ميجا بايت لكل مجموعة في شريحة أو ذاكرة وصول عشوائي توفر (2) جيجابايت من الذاكرة ذات الكثافة العالية، وباستخدام تقنية السيليكون TSV تتوفر الإمكانية لعمل (4) جيجابايت من خلال طريقة وحدة الخط الثنائي dual in-line memory module اعتمادا على نظام WSP لمضاعفة وتجميع الذاكرة.

وتمكن التقنيات الحديثة التي ستستخدم في عمل شرائح الذاكرة إضافة إلى التخفيض العام في حجم رزمة الشرائح إلى تمكينها من الأداء الأسرع والاستهلاك المنخفض للطاقة وهما ما يسعى إليه المطورون في مجال تطوير الأجهزة والمعدات التقنية بمختلف فئاتها. إن اعتماد نظام MCP لتجميع الشرائح multi-chip package في صناعة شرائح الذاكرة المستقبلية من قبل شركة سامسونج وغيرها من المطورين يمكن من توفير جيل جديد يقابل الطلب والحاجة المستمرة لشرائح ذاكرة صغيرة الحجم وعالية السرعة والكثافة.