سامسونج إلكترونيكس تنتج وحدات الذاكرة DDR2 سعة 1 جيجابايت بتقنية 80 نانومتر

أعلنت شركة سامسونج إلكترونيكس المحدودة بدء إنتاجها الضخم من وحدات الذاكرة سعة 1 جيجابايت والتي تستخدم تقنية 80 نانومتر. ورغم أن وحدات الذاكرة DDR2 الأحادية سعة 1 جيجابايت متاحة بالأسواق بالفعل، إلا أنها تعتمد على تقنية 90 نانومتر وهي تقنية أكثر تكلفة وأقل كفاءة.وألقى شي ون سو، الرئيس والمدير العام لشركة سامسونج للإلكترونيات بالشرق الأوسط وإفريقيا الضوء على ذلك قائلاً: «بفضل تطبيق تقنية 80 نانومتر، ستنتج شركة سامسونج أصغر مجوعة من وحدات ذاكرة DRAM من حيث الحجم (11X11.5ملم). وهي أصغر بنسبة 36% من المجموعة التي يبلغ حجمها 11X18ملم المطلوبة لرقاقة وحدة الذاكرة التي تستخدم تقنية 90 نانومتر، وتماثل في صغر حجمها وحدة الذاكرة DRAM 512 ميجابايت التي تعتبر نصف حجم رقاقة الذاكرة حيث تبلغ سعتها 1 جيجابايت التي تستخدم تقنية 90 نانومتر».ويضيف: «غالبية رقاقات وحدة الذاكرة سعة 1 جيجابايت المتاحة اليوم يتم جمعها في وحدات DRAM عالية السعة لخوادم الجيل التالي. وتشمل هذه الوحدات وحدة الذاكرة المزدوجة الخطية (DIMM) 4 جيجابايت التي تدعم التخزين المؤقت بشكل كامل ووحدات الذاكرة الصغيرة المزدوجة الخطية SODIMM».